AS4C16M32MS-6BINTR
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MS-6BINTR 规格
零件状态：
Discontinued at
工作温度：
-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型：
Surface Mount
可编程：
Not Verified
内存类型：
Volatile
内存接口：
Parallel
写入周期时间 - 字，页：
15ns
时钟频率：
166 MHz
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
内存容量：
512Mbit
内存格式：
DRAM
封装 / 外壳：
90-VFBGA
访问时间：
5.4 ns
存储器结构：
16M x 32
供应商器件封装：
90-FBGA (8x13)
技术：
SDRAM - Mobile SDRAM
