MT49H32M18BM-25E:B
IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
MT49H32M18BM-25E:B 规格
零件状态：
Obsolete
安装类型：
Surface Mount
可编程：
Not Verified
内存类型：
Volatile
内存接口：
Parallel
写入周期时间 - 字，页：
-
访问时间：
15 ns
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.9V
内存格式：
DRAM
封装 / 外壳：
144-TFBGA
时钟频率：
400 MHz
技术：
DRAM
供应商器件封装：
144-µBGA (18.5x11)
工作温度：
0°C ~ 95°C (TC)
内存容量：
576Mbit
存储器结构：
32M x 18
