W632GG8NB09I
IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB09I 规格
零件状态：
Obsolete
安装类型：
Surface Mount
可编程：
Not Verified
内存类型：
Volatile
内存接口：
Parallel
电压 - 供电：
1.425V ~ 1.575V
写入周期时间 - 字，页：
15ns
访问时间：
20 ns
内存格式：
DRAM
内存容量：
2Gbit
存储器结构：
256M x 8
工作温度：
-40°C ~ 95°C (TC)
技术：
SDRAM - DDR3
封装 / 外壳：
78-VFBGA
供应商器件封装：
78-VFBGA (8x10.5)
时钟频率：
1.067 GHz
