W947D2HBJX6E TR
IC DRAM 128MBIT LVCMOS 90VFBGA
W947D2HBJX6E TR Specifications
Part Status：
Obsolete
Mounting Type：
Surface Mount
Programmable：
Not Verified
Memory Type：
Volatile
Write Cycle Time - Word, Page：
15ns
Memory Size：
128Mbit
Clock Frequency：
166 MHz
Voltage - Supply：
1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature：
-25°C ~ 85°C (TC)
Access Time：
5 ns
Memory Format：
DRAM
Supplier Device Package：
90-VFBGA (8x13)
Memory Organization：
4M x 32
Technology：
SDRAM - Mobile LPDDR
Package / Case：
90-TFBGA
Memory Interface：
LVCMOS
