TC58NYG2S0HBAI6
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
TC58NYG2S0HBAI6 Specifications
Part Status：
Active
Operating Temperature：
-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type：
Surface Mount
Programmable：
Not Verified
Memory Interface：
Parallel
Memory Type：
Non-Volatile
Memory Format：
FLASH
Write Cycle Time - Word, Page：
25ns
Access Time：
25 ns
Voltage - Supply：
1.7V ~ 1.95V
Memory Size：
4Gbit
Memory Organization：
512M x 8
Technology：
FLASH - NAND (SLC)
Package / Case：
67-VFBGA
Supplier Device Package：
67-VFBGA (6.5x8)
