TH58NYG3S0HBAI4
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA
TH58NYG3S0HBAI4 Specifications
Part Status：
Active
Operating Temperature：
-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type：
Surface Mount
Programmable：
Not Verified
Memory Interface：
Parallel
Memory Type：
Non-Volatile
Memory Format：
FLASH
Write Cycle Time - Word, Page：
25ns
Access Time：
25 ns
Voltage - Supply：
1.7V ~ 1.95V
Package / Case：
63-VFBGA
Memory Size：
8Gbit
Memory Organization：
1G x 8
Technology：
FLASH - NAND (SLC)
Supplier Device Package：
63-TFBGA (9x11)
