HYB25D512800CE-6
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
HYB25D512800CE-6 Specifications
Part Status：
Discontinued at
Mounting Type：
Surface Mount
Operating Temperature：
0°C ~ 70°C (TA)
Programmable：
Not Verified
Memory Type：
Volatile
Memory Interface：
Parallel
Write Cycle Time - Word, Page：
-
Voltage - Supply：
2.3V ~ 2.7V
Clock Frequency：
166 MHz
Memory Size：
512Mbit
Memory Organization：
64M x 8
Memory Format：
DRAM
Technology：
SDRAM - DDR
Package / Case：
66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Supplier Device Package：
66-TSOP II
