MT47H512M4EB-25E:C
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H512M4EB-25E:C 规格
零件状态：
Obsolete
安装类型：
Surface Mount
可编程：
Not Verified
内存类型：
Volatile
内存接口：
Parallel
工作温度：
0°C ~ 85°C (TC)
写入周期时间 - 字，页：
15ns
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.9V
内存格式：
DRAM
封装 / 外壳：
60-TFBGA
技术：
SDRAM - DDR2
内存容量：
2Gbit
访问时间：
400 ps
时钟频率：
400 MHz
存储器结构：
512M x 4
供应商器件封装：
60-FBGA (9x11.5)
