MSM5118165F-60T3K-MT
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
MSM5118165F-60T3K-MT 规格
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
0°C ~ 70°C (TA)
可编程：
Not Verified
内存类型：
Volatile
内存接口：
Parallel
写入周期时间 - 字，页：
-
内存容量：
16Mbit
存储器结构：
1M x 16
访问时间：
30 ns
内存格式：
DRAM
技术：
DRAM
封装 / 外壳：
50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供应商器件封装：
50-TSOP II
