MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR 规格
零件状态：
Obsolete
安装类型：
Surface Mount
可编程：
Not Verified
内存接口：
Parallel
写入周期时间 - 字，页：
-
工作温度：
-25°C ~ 85°C (TA)
电压 - 供电：
1.8V
内存类型：
Non-Volatile, Volatile
内存格式：
FLASH, RAM
时钟频率：
533 MHz
技术：
FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
内存容量：
4Gbit (NAND), 2Gbit (LPDDR2)
存储器结构：
512M x 8 (NAND), 64M x 32 (LPDDR2)
封装 / 外壳：
162-VFBGA
供应商器件封装：
162-VFBGA (11.5x13)
