AS6C2016-55BIN
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA
AS6C2016-55BIN 规格
零件状态：
Active
工作温度：
-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型：
Surface Mount
可编程：
Not Verified
内存类型：
Volatile
内存接口：
Parallel
电压 - 供电：
2.7V ~ 5.5V
内存容量：
2Mbit
访问时间：
55 ns
存储器结构：
128K x 16
内存格式：
SRAM
技术：
SRAM - Asynchronous
封装 / 外壳：
48-TFBGA
供应商器件封装：
48-TFBGA (6x8)
写入周期时间 - 字，页：
55ns
