IS42RM32800K-6BLI
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
IS42RM32800K-6BLI 规格
零件状态：
Active
工作温度：
-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型：
Surface Mount
可编程：
Not Verified
内存类型：
Volatile
内存接口：
Parallel
写入周期时间 - 字，页：
-
内存容量：
256Mbit
访问时间：
5.5 ns
时钟频率：
166 MHz
内存格式：
DRAM
存储器结构：
8M x 32
封装 / 外壳：
90-TFBGA
供应商器件封装：
90-TFBGA (8x13)
电压 - 供电：
2.3V ~ 3V
技术：
SDRAM - Mobile
