IS42S16100E-6BLI-TR
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100E-6BLI-TR 规格
零件状态：
Obsolete
工作温度：
-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型：
Surface Mount
可编程：
Not Verified
内存类型：
Volatile
内存接口：
Parallel
写入周期时间 - 字，页：
-
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
内存容量：
16Mbit
存储器结构：
1M x 16
访问时间：
5.5 ns
时钟频率：
166 MHz
内存格式：
DRAM
封装 / 外壳：
60-TFBGA
技术：
SDRAM
供应商器件封装：
60-TFBGA (6.4x10.1)
