IS42VM32400H-6BLI
IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
IS42VM32400H-6BLI 规格
零件状态：
Active
工作温度：
-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型：
Surface Mount
可编程：
Not Verified
内存类型：
Volatile
内存接口：
Parallel
写入周期时间 - 字，页：
-
访问时间：
5.5 ns
内存容量：
128Mbit
时钟频率：
166 MHz
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
内存格式：
DRAM
存储器结构：
4M x 32
封装 / 外壳：
90-TFBGA
供应商器件封装：
90-TFBGA (8x13)
技术：
SDRAM - Mobile
