W631GG8MB-11 TR
IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8MB-11 TR 规格
零件状态：
Obsolete
安装类型：
Surface Mount
可编程：
Not Verified
内存类型：
Volatile
内存接口：
Parallel
写入周期时间 - 字，页：
-
电压 - 供电：
1.425V ~ 1.575V
访问时间：
20 ns
内存容量：
1Gbit
存储器结构：
128M x 8
内存格式：
DRAM
工作温度：
0°C ~ 95°C (TC)
技术：
SDRAM - DDR3
时钟频率：
933 MHz
封装 / 外壳：
78-VFBGA
供应商器件封装：
78-VFBGA (10.5x8)
