MT41K512M8V00HWC1-N001
IC DRAM 4GBIT PARALLEL
MT41K512M8V00HWC1-N001 规格
零件状态：
Obsolete
可编程：
Not Verified
安装类型：
-
内存类型：
Volatile
内存接口：
Parallel
写入周期时间 - 字，页：
-
封装 / 外壳：
Die
供应商器件封装：
Die
内存格式：
DRAM
内存容量：
4Gbit
存储器结构：
512M x 8
工作温度：
0°C ~ 95°C (TC)
技术：
SDRAM - DDR3L
电压 - 供电：
1.283V ~ 1.45V
