ECF840AAACN-C1-Y3
IC DRAM 8GBIT PARALLEL
ECF840AAACN-C1-Y3 规格
零件状态：
Obsolete
可编程：
Not Verified
内存类型：
Volatile
内存接口：
Parallel
写入周期时间 - 字，页：
-
内存格式：
DRAM
内存容量：
8Gbit
存储器结构：
512M x 16
电压 - 供电：
1.14V ~ 1.95V
技术：
SDRAM - Mobile LPDDR3
