EM63A165TS-5G
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
EM63A165TS-5G 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
0°C ~ 70°C (TA)
可编程：
Not Verified
内存类型：
Volatile
内存接口：
Parallel
时钟频率：
200 MHz
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
内存容量：
256Mbit
写入周期时间 - 字，页：
10ns
存储器结构：
16M x 16
访问时间：
4.5 ns
内存格式：
DRAM
技术：
SDRAM
封装 / 外壳：
54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供应商器件封装：
54-TSOP II
