EM6AA160TSE-4G
IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
EM6AA160TSE-4G 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
0°C ~ 70°C (TA)
可编程：
Not Verified
内存类型：
Volatile
内存接口：
Parallel
内存容量：
256Mbit
时钟频率：
250 MHz
电压 - 供电：
2.3V ~ 2.7V
写入周期时间 - 字，页：
15ns
存储器结构：
16M x 16
内存格式：
DRAM
技术：
SDRAM - DDR
访问时间：
700 ps
封装 / 外壳：
66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供应商器件封装：
66-TSOP II
