IS61NLP25636A-200B3I-TR
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA
IS61NLP25636A-200B3I-TR 规格
零件状态：
Obsolete
工作温度：
-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型：
Surface Mount
可编程：
Not Verified
内存类型：
Volatile
内存接口：
Parallel
写入周期时间 - 字，页：
-
时钟频率：
200 MHz
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
内存格式：
SRAM
技术：
SRAM - Synchronous, SDR
内存容量：
9Mbit
存储器结构：
256K x 36
封装 / 外壳：
165-TBGA
供应商器件封装：
165-TFBGA (13x15)
访问时间：
3.1 ns
