MT53E2G64D8TN-046 AIT:C TR
IC DRAM 128GBIT PAR 556LFBGA
部件编号:
MT53E2G64D8TN-046 AIT:C TR
制造商:
Micron Technology Inc.
类别:
Integrated Circuits (ICs) > Memory > Memory >
描述:
IC DRAM 128GBIT PAR 556LFBGA
RoHS:
YES
MT53E2G64D8TN-046 AIT:C TR 规格
零件状态:
Active
安装类型:
Surface Mount
可编程:
Not Verified
内存类型:
Volatile
内存接口:
Parallel
等级:
Automotive
认证:
AEC-Q100
访问时间:
3.5 ns
内存格式:
DRAM
工作温度:
-40°C ~ 95°C (TC)
内存容量:
128Gbit
时钟频率:
2.133 GHz
技术:
SDRAM - Mobile LPDDR4X
写入周期时间 - 字,页:
18ns
电压 - 供电:
1.06V ~ 1.17V
存储器结构:
2G x 64
封装 / 外壳:
556-LFBGA
供应商器件封装:
556-LFBGA (12.4x12.4)
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:
数量
单价
国际价格
温馨提示:请填写下面的表格。我们会尽快与您联系。
公司名称:
请输入公司名称
姓名:
请输入姓名
电话:
请输入电话
邮箱:
请输入邮箱
数量:
请输入数量
描述:
请输入描述
验证码:
请输入验证码