AS4C512M16MD4V-053BIN
IC DRAM 8GBIT LVSTLE 200FBGA
部件编号：
AS4C512M16MD4V-053BIN
制造商：
Alliance Memory, Inc.
类别：
Integrated Circuits (ICs) >
Memory >
Memory >
描述：
IC DRAM 8GBIT LVSTLE 200FBGA
RoHS：
YES
AS4C512M16MD4V-053BIN 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
内存类型：
Volatile
工作温度：
-40°C ~ 85°C (TC)
访问时间：
3.5 ns
内存格式：
DRAM
内存容量：
8Gbit
存储器结构：
512M x 16
时钟频率：
1.866 GHz
封装 / 外壳：
200-VFBGA
电压 - 供电：
1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
技术：
SDRAM - Mobile LPDDR4X
写入周期时间 - 字，页：
18ns
内存接口：
LVSTLE_06
供应商器件封装：
200-FBGA (10x15)
您可能感兴趣的产品
MB85RS64PNF-G-AMERE2
IC FRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOP
更多订购
EM016LXQBB310ISCR
IC RAM 16MBIT XSPI/QUAD 24TBGA
更多订购
EM016LXQBDH10ISCR
IC RAM 16MBIT XSPI/QUAD 8DFN
更多订购
EM008LXQBB310ISCR
IC RAM 8MBIT XSPI/QUAD 24TBGA
更多订购
EM004LXQBDH10ISCR
IC RAM 4MBIT XSPI/QUAD 8DFN
更多订购
EM004LXQBB310ISCR
IC RAM 4MBIT XSPI/QUAD 24TBGA
更多订购
EM008LXQBDH10ISCR
IC RAM 8MBIT XSPI/QUAD 8DFN
更多订购
BR25G160FVM-5TR
16KBIT, SPI BUS, SERIAL EEPROM :
更多订购
GB231
27C128 EPROM Grab Bag DIP-28 Cle
更多订购
2732A-20
IC 2732A-20 EPROM 4Kx8 DIP 24-pi
更多订购
GB243
27128 EPROM Grab Bag 128K (32Kx8
更多订购
GB237
27C512 EPROM Grab Bag 64Kx8 DIP-
更多订购
D2716
IC 2716 EPROM 16K-Bit 450ns NMOS
更多订购
快速询价
制造商标准交期：待定
标准包装数量：
数量
单价
国际价格
温馨提示：请填写下面的表格。我们会尽快与您联系。
756448060@qq.com
756448060
13725578060
