W66BQ6NBQAGJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 06 200TFBGA
部件编号：
W66BQ6NBQAGJ TR
制造商：
Winbond Electronics
类别：
Integrated Circuits (ICs) >
Memory >
Memory >
描述：
IC DRAM 2GBIT LVSTL 06 200TFBGA
RoHS：
YES
W66BQ6NBQAGJ TR 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
内存类型：
Volatile
工作温度：
-40°C ~ 105°C (TC)
内存格式：
DRAM
内存容量：
2Gbit
存储器结构：
128M x 16
访问时间：
3.6 ns
电压 - 供电：
1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
封装 / 外壳：
200-TFBGA
供应商器件封装：
200-TFBGA (10x14.5)
技术：
SDRAM - Mobile LPDDR4X
写入周期时间 - 字，页：
18ns
时钟频率：
1.867 GHz
内存接口：
LVSTL_06
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