GCMX040A120B2T1P
1200V 40 SIC MOSFET SIX-PACK MOD
GCMX040A120B2T1P Specifications
Part Status：
Active
Mounting Type：
Chassis Mount
Supplier Device Package：
-
FET Feature：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Package / Case：
Module
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
30A (Tc)
Operating Temperature：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 10mA
Technology：
Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
52mOhm @ 20A, 18V
Configuration：
6 N-Channel (Phase Leg)
Power - Max：
160W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
113nC @ 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2900pF @ 800V
