TW027U65C,RQ
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW027U65C,RQ Specifications
Part Status：
Active
Mounting Type：
Surface Mount
FET Type：
N-Channel
FET Feature：
-
Grade：
-
Qualification：
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：
57A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)：
650 V
Power Dissipation (Max)：
156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
5V @ 3mA
Operating Temperature：
175°C
Technology：
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)：
+25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
18V
Package / Case：
8-PowerSFN
Supplier Device Package：
TOLL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2288 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
65 nC @ 18 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
40mOhm @ 29A, 18V
