TW027U65C,RQ
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW027U65C,RQ 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
场效应晶体管类型：
N-Channel
场效应晶体管特性：
-
等级：
-
认证：
-
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
57A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)：
650 V
最大功耗：
156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
5V @ 3mA
工作温度：
175°C
技术：
SiCFET (Silicon Carbide)
最大栅源电压：
+25V, -10V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）：
18V
封装 / 外壳：
8-PowerSFN
供应商器件封装：
TOLL
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
2288 pF @ 400 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
65 nC @ 18 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
40mOhm @ 29A, 18V
