GCMX080A120B2T1P
1200V 80 SIC MOSFET SIX-PACK MOD
GCMX080A120B2T1P 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Chassis Mount
供应商器件封装：
-
场效应晶体管特性：
-
等级：
-
认证：
-
封装 / 外壳：
Module
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
29A (Tc)
工作温度：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
4V @ 5mA
技术：
Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
配置：
6 N-Channel (Phase Leg)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
100mOhm @ 10A, 18V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
1400pF @ 800V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
56nC @ 18V
最大功率：
103W (Tc)
