NXVF6532M3TG01
SIC POWER MOSFET MODULE 650V, 32
NXVF6532M3TG01 规格
安装类型：
Through Hole
零件状态：
Active
场效应晶体管特性：
-
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级：
-
认证：
-
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
31A (Tc)
配置：
4 N-Channel (Full Bridge)
技术：
Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压 (Vdss)：
650V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
44mOhm @ 15A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
4V @ 7.5mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
58nC @ 18V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
1215pF @ 400V
最大功率：
65.2W (Tj)
封装 / 外壳：
13-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
供应商器件封装：
APM16
